首台晶片制造核心装备 串列型高能氢离子注入机成功出束

央企中国核工业集团星期六（1月17日）透露，由公司旗下中国原子能科学研究院自主研制的中国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心指标达到国际先进水平。

据中新社、《科技日报》等报道上述消息并引述分析指出，这标志着中国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克功率半导体制造链关键环节，为推动高端制造装备自主可控、保障产业链安全奠定坚实基础。

离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备，并称为晶片制造“四大核心装备”，是半导体制造不可或缺的“刚需”设备。

此次高能氢离子注入机的成功研制，是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，将有力提升中国在功率半导体等关键领域的自主保障能力。

长期以来，中国高能氢离子注入机完全依赖国外进口，其研发难度大、技术壁垒高，是制约中国战略性产业升级的瓶颈之一。

中国原子能科学研究院依托在核物理加速器领域数十年的深厚积累，以串列加速器技术作为核心手段破解一系列难题，掌握了串列型高能氢离子注入机从底层原理到整机集成的正向设计能力，打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断。