国产28纳米曝光机大突破 技术水平达国际主流设备

受美国技术封锁影响，中国无法取得阿斯麦（ASML）最先进的极紫外光（EUV）设备。然而，成立仅四年的深圳芯片设备商新凯来，近日首度公开展示28纳米级300毫米晶圆光刻技术，展现中国在先进半导体设备领域的自主研发成果，引发全球产业高度关注。

综合外媒报导，新凯来于上海SEMICON China 2025半导体展会上，展出包含原子层沉积（ALD）、化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）、蚀刻、退火等关键制程的设备。尽管未展示光刻设备，但据了解，新凯来已成功研发适用于300毫米晶圆的28纳米浸润式光刻系统，技术与国际主流设备供应商不相上下。

新凯来与华为合作开发的28纳米光刻机，主要是为了取代包括ASML在内的国际半导体设备大厂，提升自主性，突破美国政府对先进芯片设备的出口管制措施，被中国中国视为先进半导体制程的救星。

半导体产业分析师王磊表示，28纳米是成熟制程与先进制程的分水岭，也是中国半导体设备厂商必须突破的难关。新凯来的技术突破，代表中国的国产设备在关键制程领域取得了重大进展。

新凯来成立于2021年8月，由深圳市政府资助，致力于开发半导体制造相关设备，在北京、上海、西安等地设立研发中心，并从业界挖角顶尖技术人才，网罗曾在ASML、应用材料、科林研发（Lam Research）、东京威力科创（Tokyo Electron）等国际大厂的优秀工程师。

尽管成立仅四年，新凯来已展现出强烈的市场企图心，其客户名单囊括了中芯国际、华虹集团等中国半导体产业的龙头晶圆厂。不只如此，新凯来部分蚀刻设备已在功率半导体产线实现批量应用。

展望未来，新凯来计划在未来三年内将研发中心拓展至10个以上的城市，更将在欧洲和东南亚设立技术服务中心，提供客户专业支持，扩大其全球影响力。