兆易创新融资33亿人民币研发DRAM芯片
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兆易创新融资33亿人民币研发DRAM芯片

2020-01-02 来源:观察者网浏览数:242 国际会展网

核心提示:继长鑫存储年底交付、紫光集团布局重庆后,北京兆易创新科技股份有限公司最早将于明年完成其首款DRAM芯片的封装测试以及客户验证,该公司拟募集资金33.2亿元(人民币,下同)用于DRAM芯片研发及产业化项目。

继长鑫存储年底交付、紫光集团布局重庆后,北京兆易创新科技股份有限公司最早将于明年完成其首款DRAM芯片的封装测试以及客户验证,该公司拟募集资金33.2亿元(人民币,下同)用于DRAM芯片研发及产业化项目。

据观察者网报道,去年12月27日,北京兆易创新科技股份有限公司(下称:兆易创新)透露,该公司最早将于2021年完成其首款DRAM芯片的封装测试以及客户验证,测试成功后将进行大批量产。此前兆易创新发布的《非公开发行A股股票预案》(下称:《预案》)中介绍:该公司拟募集资金33.2亿元用于DRAM芯片研发及产业化项目。

值得一提的是,长鑫存储12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资约1500亿元,而紫光集团未来十年投资在DRAM领域的投资或高达8000亿元。

目前,中国是DRAM芯片的全球最大市场,但三星、海力士、美光等企业在华占据主导地位,这也使得DRAM成为我国受外部制约最为严重的基础产品之一。

今年以来,兆易创新股价涨幅近230%。截至12月31日A股收盘,该公司股价报204.89元/股,总市值达658亿元。

根据上述《预案》披露,兆易创新拟向不超过10名特定投资者非公开发行不超过6422.4万股(含本数),募集资金总额(含发行费用)不超过人民币43.2亿元。其中,本次募集的33.2亿元将用于DRAM芯片研发及产业化项目,剩余的10亿元将用于补充流动资金。

根据《预案》,兆易创新已组建由数十名资深工程师组成的核心研发团队,涵盖前端设计、后端产品测试与验证,该团队的核心技术带头人员从事DRAM芯片行业平均超过二十年。

兆易创新透露,其首款DRAM芯片计划于2020年展开流片试样,并将于2021年进行封装测试以及完成客户验证,测试成功后进行大批量产。除此之外,其多系列DRAM产品将在2025年之前陆续完成研发及量产。

《预案》中还称,本次非公开发行是为发挥该公司在存储器领域的优势,实现高技术产品的进口替代,实现高端通用芯片自主可控,助力国家支柱产业的崛起。

另外,DRAM作为集成电路领域通用芯片,产品标准化,非常适宜于迅速扩张,项目完成后,该公司将掌握DRAM技术、具备DRAM产品设计能力,竞争力及行业地位将得到提升。

中国作为全球最大的DRAM需求市场,国内市场一直被国外厂商垄断,各类型产品严重依赖进口。

根据赛迪顾问的数据,2018年,三星、海力士、美光三家企业的DRAM产品在中国市场的销售总额达到3340.6亿元,约占整个中国DRAM市场的97.6%。

但据电子工程专辑(EETimes)12月3日报道,合肥长鑫存储已宣布成为中国国内第一家也是唯一一家DRAM生产商。

长鑫存储表示,该公司已经完成合肥Fab 1及研发设施建设,月产能2万片,并计划在2020年第二季度将产能提高一倍,达到每月4万片,约占全球内存产能的3%。

除了长鑫存储,紫光今年也开始加码DRAM。6月30日,紫光集团宣布成立DRAM事业群。该集团还计划于年底在重庆开工建设DRAM工厂,主要制造12英寸的DRAM存储芯片,预计2021年量产。

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