长鑫存储称技术获突破 领先三星电子与SK海力士

中国存储晶片制造商长鑫存储称，已取得三星电子等竞争对手多年来力求实现的技术突破。这一说法尚未获证实，但已引发全球晶片股抛售。

据彭博社报道，长鑫存储总裁曹堪宇上周末在上海举行的一场行业会议上说，公司计划在今年底前推出一款面向数据中心服务器的新型晶片，采用4F²设计，以提升单个组件的性能。公司发言人确认了他的上述表述。

曹堪宇未披露更多技术细节。如果长鑫存储确实跨越4F²技术门槛，就意味着它在美国制裁限制其获取阿斯麦（ASML）最先进设备的情况下，仍抢先三星电子和SK海力士实现这一突破。

三星电子和SK海力士的股价星期二（10月13日）在韩国均下跌逾7%，拖累韩国综合股价指数。

业界现行的6F²标准用于衡量存储单元面积，其中F代表晶片的特征尺寸，6F²即特征尺寸平方的六倍。三星电子和SK海力士正探索将存储单元面积缩小至4F²的方法，理论上可在更小的面积内容纳相同数量的存储单元，提高存储密度和效率。

曹堪宇说，长鑫存储正通过堆叠改变晶体管的布局方式。这种“垂直环绕栅极”（Vertical Surrounding Gate）技术，预计能减少漏电和其他副作用。这些问题长期困扰着试图将存储单元面积缩小至6F²以下的主要竞争对手。

长鑫存储今年夏季在备受瞩目的首次公开募股（IPO）后，一度成为中国市值最高的公司。此次宣布技术突破，凸显公司正努力缩小与外国竞争对手在晶片制造领域的差距，而这一领域对人工智能（AI）发展至关重要。

如果新架构奏效，这将成为中国企业通过技术创新绕过美国限制的又一案例。

亚洲科技股星期二大跌 拖累主要股指下滑

全球半导体股跌势加剧，市场对人工智能以及来自中国企业竞争的担忧升温，拖累以晶片股为主的韩国基准股指一度大跌7%。

三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）的股价在星期二（10月13日）下跌超过8%，拖累韩国综合股价指数（Kospi）一度在早盘大跌7%，随后收窄跌幅。

这个股指在午盘稍有回升，截至下午3时20分，股指为6035.35点，下滑5%。

日本闪存大厂铠侠控股（Kioxia Holdings Corp.）重挫超13%；东京威力科创（Tokyo Electron）下跌超过7%。美股半导体板块也在隔夜交易中出现暴跌。

恒生科技指数下跌近1%。

投资者对人工智能交易的焦虑情绪进一步加剧。

此前，博通（Broadcom Inc.）首席执行官陈福阳将市场情绪比作“赌场”，并警告称人工智能建设的融资问题，将成为核心难题。与此同时，高利率也开始对大量依靠债务融资的并购交易产生负面影响，并威胁到此前火爆的首次公开售股市场。