中科院光电所研制“超分辨光刻装备”通过验收

　　据中国官媒报道，中科院光电所超分辨光刻装备项目组经过近七年艰苦攻关，突破了多项关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超 分辨光刻装备研制。光刻机是集成电路制造业的核心设备，也是中国芯片制造的主要短板之一。

　　中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”前天通过验收，这是世界上首台用紫外光源实现了 22纳米分辨率的光刻机。业内人士称，该项目是中国芯片制造技术的一个重大突破。

　　光刻机是集成电路制造业的核心设备，也是中国芯片制造的主要短板之一。一般来说，光刻分辨力越高，加工的芯片集成度也就越高。但 传统光刻技术由于受到光学衍射效应的影响，分辨力进一步提高受到很大限制。

研制项目打破国外 在高端光刻装备领域垄断

　　据中国军网、《科技日报》等官媒昨天报道，中科院光电所超分辨光刻装备项目组经过近七年艰苦攻关，突破了多项关键技术，完成国际 上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用 于制造10纳米级别的芯片。

　　报道说，超分辨光刻装备项目打破国外在高端光刻装备领域的垄断，为纳米光学加工提供了全新的解决途径，也为新一代信息技术、新材 料、生物医疗等先进战略技术领域，基础前沿和国防安全提供了核心技术保障。该项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大 面积的纳米光刻装备研发新路线，具有完全自主知识产权，为超材料、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具 。

　　中国的光刻机研制水平一直比较落后。荷兰阿斯麦公司（ASML）是全球唯一的高端光刻机生产商，但该公司产品不仅价格昂贵，而且产量 很低，加上中国受到“敏感技术”进口限制，中国公司很难买到高端光刻机，成为中国芯片制造水平提升的瓶颈之一。

　　今年以来，美国在芯片供应上先后制裁中兴通讯、福建晋华等中国公司，让中国舆论大呼“芯之痛”，中国高层也多次强调在芯片制造等 高技术领域不能总是“受制于人”。

　　中科院光电技术研究所研究员胡松认为，该所的光刻设备“和国际上已经可以达到持一致的水平。分辨率的指标实际上也是属于国外禁运 的一个指标，我们这项目出来之后对打破禁运有很大的帮助。”“如果国外禁运我们也不用怕，因为我们这个技术再走下去，我们认为可以有 保证。在芯片未来发展、下一代光机电集成芯片或者我们说的广义芯片（研制领域），有可能弯道超车走在更前面。”

　　《科技日报》引述胡松说：“ASML的EUV光刻机使用的13.5纳米的极紫外光源，价格高达3000万元（人民币，下同，600万新元），还要在 真空下使用”，“而我们使用的365纳米紫外光的汞灯，只要几万元一只。我们整机价格在百万元级到千万元级，加工能力介于深紫外级和极 紫外级之间，让很多用户大喜过望。”

　　报道称，中科院光电技术研究所目前已掌握超分辨光刻镜头、精密间隙检测、纳米级定位精度工件台、高深宽比刻蚀和多重图形配套光刻 工艺等核心专利，“技术完全自主可控，在超分辨成像光刻领域国际领先”。

业内人士称中国芯片制造接下来未必就能迅猛发展

　　不过，也有业内人士指出，超分辨光刻装备研制成功，并不等于中国的芯片制造很快就能迅猛发展。芯片制造是一个庞大的产业生态链， 单一技术突破虽然有价值，但整个产业链的升级还需要多项技术的突破和广泛应用。同时，中科院光电所的光刻机目前只能做周期的线条和点 阵，还无法制作复杂的半导体元件所需要的图形，短期内无法撼动ASML在半导体元件制造中的老大地位。