长鑫科技新技术平台正式量产 提升中国存储晶片竞争力

（北京/合肥综合讯）中国晶片制造商长鑫科技宣布第五代动态随机存取存储晶片（DRAM）技术平台实现量产，新型移动存储晶片不仅能容纳更多内存，数据容量也比同类前代产品高出50%。

这项进展有望提升中国在全球存储晶片市场的竞争力，更好地与三星电子、SK海力士和美光科技等对手抗衡。

综合澎湃新闻、路透社等报道，长鑫科技星期天（9月20日）在中国安徽省会合肥举行的2026世界制造业大会上，宣布第五代DRAM技术平台正式量产，以更低成本和能耗，制造性能更强大的存储晶片，并为智能手机及其他电子设备的制造商提供额外的晶片供应源。

DRAM是电子设备中最核心的短期记忆体，多用于手机、电脑及其他设备的应用和程序运行。

路透社指出，这一进展时值北京寻求减少对外国半导体技术的依赖之际。2022年以来，美国出口管制措施已限制中国获取某些先进晶片制造设备及相关软件的途径。

长鑫披露，这项新技术平台将存储数据的微小结构排列得更紧密，从而在单颗晶片上集成更多内存，并使每片硅晶圆（晶片核心基础材料）能切割出更多晶片。

长鑫科技副总裁兼市场中心负责人骆晓东星期天在大会上说：“我们的工艺能力目前已与业界最先进的量产节点相当。”

据介绍，长鑫通过四重曝光（quadruple patterning）技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

与此同时，长鑫也发布两款利用新技术平台打造的24吉字节（GB）LPDDR5X。LPDDR5X 是一种节能型DRAM，主要用于智能手机及其他便携式电子设备。

长鑫称，与上一代产品相比，新产品数据容量提升了50%以上，并已进入正式量产，全面进入中国国产主流旗舰手机。

路透社上周五（18日）引述三名消息人士称，长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的快闪记忆体（NAND）闪存晶片市场，以扩大其客户群体。NAND闪存广泛应用于手机、电脑和数据中心存储。

消息人士还透露，长鑫科技计划在北京新厂设立NAND闪存研发生产线。公司也将在北京开设研究所，参与包括NAND闪存开发的项目。

此举也将让专攻DRAM的长鑫科技，在快速扩张的NAND闪存领域硬碰中国对手长江存储。

人工智能（AI）服务器的强劲需求，导致全球存储供应短缺。业内人士认为这一局面将至少持续到2027年。

SK海力士首席执行官郭鲁正曾在7月时说，从供应链角度来说，2027年将是业界最糟糕的一年。市场研究机构集邦咨询（TrendForce）则预计，NAND闪存的供应紧张情况将在明年下半年获得缓解。