姚顺雨：未来三至五年中国AI超越美国概率不及20%

（北京综合讯）中国顶尖人工智能科研人员认为，尽管因缺乏晶片制造设备卡脖子，中国有望缩小与美国的技术差距，但未来三至五年，中国企业弯道超车美国科企的概率不到20%。

据路透社报道，腾讯首席人工智能（AI）科学家姚顺雨星期六（1月10日）在北京举行的AGI-Next前沿峰会上说，未来三到五年，中国企业很有可能成为全球领先的AI公司，但缺乏先进的晶片制造设备是主要技术障碍。

曾任美国OpenAI高级研究员的姚顺雨指出，中国目前在电力和基础设施方面具有显著优势，但主要瓶颈在于产能，包括光刻机和软件生态系统。

路透社上月报道，中国已完成一台光刻机的工作原型，这个设备理论上能生产可与西方媲美的尖端半导体晶片。不过知情者称，这个设备目前尚未成功生产出可用晶片，且在2030年前料难以实现量产。

姚顺雨及其他中国AI业界领袖在峰会上也指出，美国在基础设施上的大量投资使它在算力方面仍保持优势。阿里巴巴Qwen技术负责人林俊旸称，相比之下，中国在资金方面相对紧张，仅交付就可能消耗大部分计算资源。

据彭博社报道，林俊旸在峰会上直言，未来三到五年，任何中国公司通过根本性突破超越OpenAI和Anthropic等美企的可能性不到20%。这一观点也获腾讯和智谱AI等业内同行的认同。

中国芯片“去美化”进展惊人！实力超强爆发 股价三天狂涨28％

中国在推动芯片自主化方面再获新进展，工信部最新数据显示，截至2025年底，中国半导体设备国产化比例提前一年突破50%大关，且7纳米制程产线验证速度较原计划快了一倍，这一利好消息刺激中国芯片股强势大涨，设备概念股指数单日大涨12%，三日累计涨幅飙升28%，受到市场高度关注。

中国去年新建及扩建的12英寸晶圆厂，设备招标总金额为430亿元人民币，其中中国设备约占整体55%，金额约达236亿元。若细分设备，蚀刻设备的国产化比例已达65%，薄膜沉积设备也达61%，清洗设备则升至63%。

先进制程方面也取得进展，尽管中国芯片业无法获得先进制程所需的极紫外光刻（EUV）设备，但通过不断改进深紫外光刻（DUV）设备，有消息称中芯国际7纳米试验生产线原定于2026年第二季度完成验证，现已提前至2025年底，首批256兆位静态随机存取存储器（Mb SRAM）的良品率突破42%，较原计划高出8个百分点。

普遍认为，中国国产设备在成熟制程上已具备替代能力，但目前先进制程仍依赖全球合作，要进入更先进领域并非易事。智库战略与国际研究中心（CSIS）评论指出，美国的制裁措施已产生反作用，但要将（相关比例）提升至60%以上会比较困难。

中国芯片产业在2025年交出亮眼成绩单，这波由政策和技术驱动的利好不仅带动股价暴涨，也显示出美国制裁反而加速了其供应链韧性的增强，但在先进领域仍需全球合作的背景下，如何应对后续更高难度的技术攻关，仍是该产业长期面临的挑战。