中国芯片制造新突破 研发奈米级光雕刻3D结构

中国科学家首次获得奈米级光雕刻3D结构。 （央视新闻）

央视新闻用户端15日报导，国际顶级学术期刊《自然》14日晚间发表了中国科学家在下一代光电芯片制造领域的重大突破。南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队，发明了一种新型「非互易飞秒雷射极化铁电畴」技术，将飞秒脉冲雷射聚焦于材料「铌酸锂」的晶体内部，通过控制雷射移动的方向，在晶体内部形成有效电场，实现三度空间（3D）结构的直写和擦除。

报导称，这一新技术，突破了传统飞秒雷射的光衍射极限，把光雕刻铌酸锂3D结构的尺寸，从传统的1微米量级（相当于头发丝的1／50），首次缩小到奈米级，达到30奈米，大大提高了加工精度。

这一重大发明，未来或可开辟光电晶片制造新赛道，有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电记忆体等关键光电器件晶片制备，在5G／6G通讯、光计算、人工智能等领域有广泛的应用前景。