中国最大闪存芯片制造商长江存储 起诉美光涉专利侵权

《第一财经》11日晚引述美国加州北区法院公告，指长江存储已于9日起诉美光科技有限公司（下称「美光」）及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。

长江存储是中国最大的3D NAND Flash（闪存芯片制造）厂商。长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图透过迫使长江存储退出3D NAND Flash市场来阻止竞争和创新。

NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质，NAND Flash可制造SSD（固态硬盘）等內存，用于手机、服务器、PC等产品。此次美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。

长江存储在以上起诉书中称，长江存储不再是新秀（upstart），而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示，2022年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。

2022年10月，美国商务部工业和安全局发布出口管制新规，限制对中国出口芯片制造设备等，将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月，美国又将长江存储纳入出口管制「实体清单」。

报导指，除NAND Flash外，美光也是主要的DRAM生产商之一。2016年，生产DRAM的另一大存储芯片厂商福建晋华与联电签署技术合作协定，开发DRAM相关制程技术，在福建晋江投资56.5亿美元建设一条12英寸晶圆厂生产线。2017年，美光在美国起诉晋华与联电，称晋华员工窃取其知识产权交给晋华。2018年，美国商务部又将晋华列入出口管制「实体清单」。