中国研制出全球最快半导体电荷存储器件

中国科研团队成功研制出新闪存器件，是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。

据复旦大学官网，复旦大学周鹏/刘春森团队成功研制“破晓(PoX)”皮秒闪存器件，擦写速度达到400皮秒，相当于每秒可执行25亿次操作。

相关研究成果星期三（4月16日）发表于国际顶尖期刊《自然》(Nature)。

这是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术，实现了存储、计算速度相当，在完成规模化集成后有望彻底颠覆现有的存储器架构。

在该技术基础上，未来的个人电脑将不存在内存和外存的概念，无需分层存储，还能实现AI大模型的本地部署。